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NDS0605的技术资料
搜索资料
NDS0605
概述
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):79pF @ 25V,功率 - 最大值:360mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23
引脚图与功能
暂无NDS0605的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NDS0605的工作原理信息
替代产品
暂无NDS0605的替代产品信息
PDF资料
暂无NDS0605的PDF资料信息
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