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NDC651N

概述

MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 15V,功率 - 最大值:800mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:6-SSOT

引脚图与功能

暂无NDC651N的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NDC651N的工作原理信息

替代产品

暂无NDC651N的替代产品信息

PDF资料

暂无NDC651N的PDF资料信息

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