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MJD200的技术资料
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MJD200
概述
TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A,电压 - 集射极击穿(最大值):25V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1A,5A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):45 @ 2A,1V,功率 - 最大值:1.4W,频率 - 跃迁:65MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:DPAK-3
引脚图与功能
暂无MJD200的引脚图与功能信息
工作原理
暂无MJD200的工作原理信息
替代产品
暂无MJD200的替代产品信息
PDF资料
暂无MJD200的PDF资料信息
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