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MJD117的技术资料
搜索资料
MJD117
概述
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,晶体管类型:PNP - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A,电压 - 集射极击穿(最大值):100V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):20µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V,功率 - 最大值:1.75W,频率 - 跃迁:25MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:DPAK-3
引脚图与功能
暂无MJD117的引脚图与功能信息
工作原理
暂无MJD117的工作原理信息
替代产品
暂无MJD117的替代产品信息
PDF资料
暂无MJD117的PDF资料信息
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