LT1158CN技术参数_LT1158CN资料_LT1158CN引脚图

LT1158CN

概述

IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP

厂商

参数

包装:管件,系列:-,配置:半桥,输入类型:PWM,延迟时间:-,电流 - 峰值:500mA,配置数:1,输出数:2,高压侧电压 - 最大值（自举）:56V,电压 - 电源:5 V ~ 30 V,工作温度:0°C ~ 70°C,安装类型:通孔,封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）,供应商器件封装:16-PDIP

引脚图与功能

暂无LT1158CN的引脚图与功能信息

工作原理

暂无LT1158CN的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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