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LPT16ED

概述

TRANSISTOR NPN BIPOLAR SIGE

厂商

参数

包装:托盘 - 晶粒,系列:-,晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿(最大值):4V,频率 - 跃迁:16GHz,噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-,增益:5.2dB,功率 - 最大值:250mW,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 20mA,2V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80mA,安装类型:表面贴装,封装/外壳:模具,供应商器件封装:模具

引脚图与功能

暂无LPT16ED的引脚图与功能信息

工作原理

暂无LPT16ED的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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