系列:*,IGBT 类型:PT,配置:单一,电压 - 集射极击穿（最大值）:650V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):*,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:210A,电流 - 集电极截止（最大值）:50µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):*,功率 - 最大值:750W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B

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