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IXFN26N100P的技术资料
搜索资料
IXFN26N100P
概述
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
厂商
IXYS
参数
包装:管件,系列:Polar™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV),电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):390 毫欧 @ 13A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):197nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11900pF @ 25V,功率 - 最大值:595W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
引脚图与功能
暂无IXFN26N100P的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IXFN26N100P的工作原理信息
替代产品
暂无IXFN26N100P的替代产品信息
PDF资料
暂无IXFN26N100P的PDF资料信息
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