系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,配置:单一,电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.1V @ 15V，75A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:145A,电流 - 集电极截止（最大值）:25µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):6.93nF @ 25V,功率 - 最大值:625W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B

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