包装:管件可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:240A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 180A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11270pF @ 50V,功率 - 最大值:380W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB,供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）

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