包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 6.3A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 10µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 16V,功率 - 最大值:1.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3

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