包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 3.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 25µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):266pF @ 25V,功率 - 最大值:1.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:Micro3™/SOT-23

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