IRLD120技术参数_IRLD120资料_IRLD120引脚图

IRLD120

概述

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 780mA，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V,功率 - 最大值:1.3W,安装类型:通孔,封装/外壳:4-DIP（0.300"，7.62mm）,供应商器件封装:4-DIP，Hexdip，HVMDIP