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IRL630S的技术资料
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IRL630S
概述
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
厂商
Vishay Siliconix
参数
包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.4A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V,功率 - 最大值:3.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:D2PAK
引脚图与功能
暂无IRL630S的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IRL630S的工作原理信息
替代产品
暂无IRL630S的替代产品信息
PDF资料
暂无IRL630S的PDF资料信息
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