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IRGSL4B60KD1PBF

概述

IGBT W/DIODE 600V 11A TO262

厂商

参数

包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,4A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11A,Current - Collector Pulsed (Icm):22A,功率 - 最大值:63W,Switching Energy:120µJ,输入类型:标准,Gate Charge:12nC,Td (on/off) A 25°C:22ns/100ns,Test Condition:400V, 4A, 100 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):93ns,封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-262

引脚图与功能

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工作原理

暂无IRGSL4B60KD1PBF的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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