包装:管件可替代的包装,系列:StrongIRFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:195A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 100A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 150µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):225nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7437pF @ 25V,功率 - 最大值:231W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA,供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）

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