包装:*可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:19A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 50µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2496pF @ 10V,功率 - 最大值:2.8W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*

暂无IRFHM8326TRPBF的引脚图与功能信息

暂无IRFHM8326TRPBF的工作原理信息

暂无IRFHM8326TRPBF的替代产品信息

暂无IRFHM8326TRPBF的PDF资料信息