IRFBG30技术参数_IRFBG30资料_IRFBG30引脚图_IRFBG30功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>IRFBG30的技术资料

IRFBG30

概述

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):1000V（1kV）,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 1.9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):980pF @ 25V,功率 - 最大值:125W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无IRFBG30的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRFBG30的工作原理信息

替代产品

暂无IRFBG30的替代产品信息

PDF资料

暂无IRFBG30的PDF资料信息

IRFBG30推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询