IRF9Z30技术参数_IRF9Z30资料_IRF9Z30引脚图

IRF9Z30

概述

MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):50V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:18A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 9.3A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 25V,功率 - 最大值:74W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB