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IRF7751的技术资料
搜索资料
IRF7751
概述
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
厂商
International Rectifier
参数
包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.5A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1464pF @ 25V,功率 - 最大值:1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽),供应商器件封装:8-TSSOP
引脚图与功能
暂无IRF7751的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IRF7751的工作原理信息
替代产品
暂无IRF7751的替代产品信息
PDF资料
暂无IRF7751的PDF资料信息
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