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IRF7607

概述

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8

厂商

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6.5A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1310pF @ 15V,功率 - 最大值:1.8W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:Micro8™,供应商器件封装:Micro8™

引脚图与功能

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工作原理

暂无IRF7607的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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