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IRF7492的技术资料
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IRF7492
概述
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
厂商
International Rectifier
参数
包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):79 毫欧 @ 2.2A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):59nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1820pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SO
引脚图与功能
暂无IRF7492的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IRF7492的工作原理信息
替代产品
暂无IRF7492的替代产品信息
PDF资料
暂无IRF7492的PDF资料信息
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