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IRF7464

概述

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

厂商

International Rectifier

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:730 毫欧 @ 720mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SO

引脚图与功能

暂无IRF7464的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF7464的工作原理信息

替代产品

暂无IRF7464的替代产品信息

PDF资料

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