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IRF7203TR

概述

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

厂商

International Rectifier

参数

包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 20V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SO