IRF6604技术参数_IRF6604资料_IRF6604引脚图_IRF6604功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>IRF6604的技术资料

IRF6604

概述

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

厂商

International Rectifier

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 12A，7V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2270pF @ 15V,功率 - 最大值:2.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DirectFET™ 等容 MQ,供应商器件封装:DIRECTFET™ MQ

引脚图与功能

暂无IRF6604的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF6604的工作原理信息

替代产品

暂无IRF6604的替代产品信息

PDF资料

暂无IRF6604的PDF资料信息

IRF6604推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询