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IRF6604

概述

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 12A,7V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2270pF @ 15V,功率 - 最大值:2.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DirectFET™ 等容 MQ,供应商器件封装:DIRECTFET™ MQ

引脚图与功能

暂无IRF6604的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF6604的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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