IRF640技术参数_IRF640资料_IRF640引脚图_IRF640功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>IRF640的技术资料

IRF640

概述

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

厂商

STMicroelectronics

参数

包装:管件,系列:MESH OVERLAY™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:18A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1560pF @ 25V,功率 - 最大值:125W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无IRF640的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF640的工作原理信息

替代产品

暂无IRF640的替代产品信息

PDF资料

暂无IRF640的PDF资料信息

IRF640推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询