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IRF630

概述

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

厂商

STMicroelectronics

参数

包装:管件,系列:MESH OVERLAY™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V,功率 - 最大值:75W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无IRF630的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF630的工作原理信息

替代产品

暂无IRF630的替代产品信息

PDF资料

暂无IRF630的PDF资料信息

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