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IRF6150

概述

MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 7.9A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:16-FlipFet™,供应商器件封装:16-FlipFet™

引脚图与功能

暂无IRF6150的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF6150的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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