包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 5.1A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1230pF @ 15V,功率 - 最大值:2.2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:4-FlipFet™,供应商器件封装:4-FlipFet™

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