IRF5806技术参数_IRF5806资料_IRF5806引脚图

IRF5806

概述

MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

厂商

International Rectifier

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:86 毫欧 @ 4A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.4nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):594pF @ 15V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）,供应商器件封装:Micro6™（TSOP-6）

引脚图与功能

暂无IRF5806的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF5806的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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