包装:管件可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:42A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 42A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 25V,功率 - 最大值:170W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB,供应商器件封装:D2PAK

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