包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):75V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:62A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:12.6 毫欧 @ 48A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3270pF @ 25V,功率 - 最大值:120W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

暂无IRF3007STRLPBF的引脚图与功能信息

暂无IRF3007STRLPBF的工作原理信息

暂无IRF3007STRLPBF的替代产品信息

暂无IRF3007STRLPBF的PDF资料信息