包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:CoolMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):650V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:16.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:199 毫欧 @ 9.9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 660µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1520pF @ 100V,功率 - 最大值:139W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:4-TSFN 裸露焊盘,供应商器件封装:PG-VSON-4

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