包装:管件,系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:80A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:4.8 毫欧 @ 69A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 115µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):273nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13060pF @ 25V,功率 - 最大值:165W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA,供应商器件封装:PG-TO262-3

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