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IGD01N120H2的技术资料
搜索资料
IGD01N120H2
概述
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
厂商
Infineon Technologies
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,1A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.2A,Current - Collector Pulsed (Icm):3.5A,功率 - 最大值:28W,Switching Energy:140µJ,输入类型:标准,Gate Charge:8.6nC,Td (on/off) A 25°C:13ns/370ns,Test Condition:800V, 1A, 241 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:PG-TO252-3
引脚图与功能
暂无IGD01N120H2的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IGD01N120H2的工作原理信息
替代产品
暂无IGD01N120H2的替代产品信息
PDF资料
暂无IGD01N120H2的PDF资料信息
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