HTNFET-D技术参数_HTNFET-D资料_HTNFET-D引脚图

HTNFET-D

概述

MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP

厂商

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

参数

包装:散装,系列:HTMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:-,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 100mA，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.3nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 28V,功率 - 最大值:50W,安装类型:通孔,封装/外壳:8-CDIP 裸露焊盘,供应商器件封装:8-CDIP-EP

引脚图与功能

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工作原理

暂无HTNFET-D的工作原理信息

替代产品

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