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HGT1S20N60C3S9A的技术资料
搜索资料
HGT1S20N60C3S9A
概述
IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.8V @ 15V,20A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A,Current - Collector Pulsed (Icm):300A,功率 - 最大值:164W,Switching Energy:295µJ (开), 500µJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:122nC,Td (on/off) A 25°C:28ns/151ns,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:TO-263AB
引脚图与功能
暂无HGT1S20N60C3S9A的引脚图与功能信息
工作原理
暂无HGT1S20N60C3S9A的工作原理信息
替代产品
暂无HGT1S20N60C3S9A的替代产品信息
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