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HGT1S20N60A4S9A的技术资料
搜索资料
HGT1S20N60A4S9A
概述
IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,20A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A,Current - Collector Pulsed (Icm):280A,功率 - 最大值:290W,Switching Energy:105µJ (开), 150µJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:182nC,Td (on/off) A 25°C:15ns/73ns,Test Condition:390V, 20A, 3 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:TO-263AB
引脚图与功能
暂无HGT1S20N60A4S9A的引脚图与功能信息
工作原理
暂无HGT1S20N60A4S9A的工作原理信息
替代产品
暂无HGT1S20N60A4S9A的替代产品信息
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暂无HGT1S20N60A4S9A的PDF资料信息
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