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HGT1S14N36G3VLS的技术资料
搜索资料
HGT1S14N36G3VLS
概述
IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):390V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 5V,14A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18A,Current - Collector Pulsed (Icm):-,功率 - 最大值:100W,Switching Energy:-,输入类型:逻辑,Gate Charge:24nC,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:TO-263AB
引脚图与功能
暂无HGT1S14N36G3VLS的引脚图与功能信息
工作原理
暂无HGT1S14N36G3VLS的工作原理信息
替代产品
暂无HGT1S14N36G3VLS的替代产品信息
PDF资料
暂无HGT1S14N36G3VLS的PDF资料信息
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