包装:-可替代的包装,系列:-,晶体管类型:6 NPN,电压 - 集射极击穿（最大值）:12V,频率 - 跃迁:10GHz,噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz,增益:12.4dB ~ 17.5dB,功率 - 最大值:250mW,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 10mA，3V,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30mA,安装类型:表面贴装,封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:14-SOICN

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