包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:15A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 7.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:50W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-83,供应商器件封装:4-LDPAK

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