欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。
[ 登录 ]
[ 注册 ]
|
会员中心
|
会员服务
IC库存
搜索
热门关键词:
LM358
TL431
ULN2003
OP07
STM32F103C8T6
首页
求购信息
非IC供求
电子知识
电子芯闻
免费信息
代理商名录
技术参数
IC图库
IC现货商城
当前位置:
1kic首页
>
IC技术参数
>
GT80J101B(Q)的技术资料
搜索资料
GT80J101B(Q)
概述
IGBT 600V 80A TO-3P LH
厂商
Toshiba
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.9V @ 15V,80A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A,Current - Collector Pulsed (Icm):-,功率 - 最大值:3.5W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:-,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-3PL,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-3P(LH)
引脚图与功能
暂无GT80J101B(Q)的引脚图与功能信息
工作原理
暂无GT80J101B(Q)的工作原理信息
替代产品
暂无GT80J101B(Q)的替代产品信息
PDF资料
暂无GT80J101B(Q)的PDF资料信息
GT80J101B(Q)推荐供应商
更多
暂无GT80J101B(Q)的供应商
IC技术参数
更多
GQZ22C
GQZ22D
GQZ24A
GQZ24B
GQZ24C
GQZ24D
GQZ27A
GQZ27B
GQZ27C
GQZ27D
关于1kic网
|
帮助中心
|
广告服务
|
粤ICP备14005348号
1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询