系列:-,IGBT 类型:-,配置:半桥,电压 - 集射极击穿（最大值）:250V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.6V @ 15V，400A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:400A,电流 - 集电极截止（最大值）:500µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):36nF @ 30V,功率 - 最大值:1350W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 8）,供应商器件封装:双 INT-A-PAK

暂无GA400TD25S的引脚图与功能信息

暂无GA400TD25S的工作原理信息

暂无GA400TD25S的替代产品信息

暂无GA400TD25S的PDF资料信息

暂无GA400TD25S的供应商