包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):45V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5A，4.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.1nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 20V,功率 - 最大值:1.8W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）,供应商器件封装:8-SOP

暂无FW349-TL-E的引脚图与功能信息

暂无FW349-TL-E的工作原理信息

暂无FW349-TL-E的替代产品信息

暂无FW349-TL-E的PDF资料信息