FQAF8N80技术参数_FQAF8N80资料_FQAF8N80引脚图

FQAF8N80

概述

MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:管件,系列:QFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):800V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.95A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2350pF @ 25V,功率 - 最大值:107W,安装类型:通孔,封装/外壳:SC-94,供应商器件封装:TO-3PF

引脚图与功能

暂无FQAF8N80的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FQAF8N80的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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