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FQA9N90C

概述

MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:管件可替代的包装,系列:QFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):900V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 4.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2730pF @ 25V,功率 - 最大值:280W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,供应商器件封装:TO-3P

引脚图与功能

暂无FQA9N90C的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FQA9N90C的工作原理信息

替代产品

暂无FQA9N90C的替代产品信息

PDF资料

暂无FQA9N90C的PDF资料信息

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