系列:Power-SPM™,IGBT 类型:-,配置:半桥,电压 - 集射极击穿（最大值）:600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V，75A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75A,电流 - 集电极截止（最大值）:250µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):4.515nF @ 30V,功率 - 最大值:310W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:EPM7,供应商器件封装:EPM7

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