包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 10V,功率 - 最大值:540mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD，扁平引线,供应商器件封装:WSSMini6-F1

暂无FL6L52010L的引脚图与功能信息

暂无FL6L52010L的工作原理信息

暂无FL6L52010L的替代产品信息

暂无FL6L52010L的PDF资料信息