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FGL60N100BNTDTU的技术资料
搜索资料
FGL60N100BNTDTU
概述
IGBT 1000V 60A 180W TO264
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT 和沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1000V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.9V @ 15V,60A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A,Current - Collector Pulsed (Icm):200A,功率 - 最大值:180W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:275nC,Td (on/off) A 25°C:140ns/630ns,Test Condition:600V, 60A, 51 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):1.2µs,封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-264
引脚图与功能
暂无FGL60N100BNTDTU的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FGL60N100BNTDTU的工作原理信息
替代产品
暂无FGL60N100BNTDTU的替代产品信息
PDF资料
暂无FGL60N100BNTDTU的PDF资料信息
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