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FGA15S125P的技术资料
搜索资料
FGA15S125P
概述
IGBT SINGLE
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:*,系列:-,IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1250V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.72V @ 15V, 15A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A,Current - Collector Pulsed (Icm):45A,功率 - 最大值:136W,Switching Energy:1.24mJ,输入类型:标准,Gate Charge:129nC,Td (on/off) A 25°C:10ns/400ns,Test Condition:600V, 15A, 10 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:*,安装类型:*,供应商器件封装:*
引脚图与功能
暂无FGA15S125P的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FGA15S125P的工作原理信息
替代产品
暂无FGA15S125P的替代产品信息
PDF资料
暂无FGA15S125P的PDF资料信息
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